Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [14]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
DDTA114TE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K
DDTA114TUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 10K
DDTA114WCA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS PNP 200mW
DDTA114WE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K 4.7K
DDTA114WUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 10K 4.7K
DDTA114YCA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS PNP 200mW
DDTA114YE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K 47K
DDTA114YLP-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 250mW 10KOhm
DDTA114YUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS PNP 200mW
DDTA115ECA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS PNP 200mW
DDTA115EE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 100K100K
DDTA115EUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K100K
DDTA115GCA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K
DDTA115GE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 100K
DDTA115GUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K
DDTA115TCA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K
DDTA115TE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 100K
DDTA115TUA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 100K
DDTA122LE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 0.22K 10K
DDTA122LU-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 0.22K 10K
DDTA122TE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 0.22K
DDTA122TU-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 0.22K
DDTA123ECA-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS PNP 200mW
DDTA123EE-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 2.2K