Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [4]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
BCR 108W H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 10PN H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 10PN H6727 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 112 E6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 112W H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 116 E6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 116 E6433 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 116S H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 116W H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 119 E6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN silicon Digital TRANSISTOR
BCR 119S H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 129 E6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 133 E6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
BCR 133 E6433 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 133S H6327 Infineon Technologies Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 133S H6433 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 133W H6327 Infineon Technologies Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 135 E6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 135 E6433 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 135S H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 135W H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 141 E6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR 141S H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
BCR 141W H6327 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR