Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения [9]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
BCR523UE6327HTSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR523UE6433HTMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital Transistors
BCR533E6327HTSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Silicon Digital TRANSISTOR
BCR553E6327HTSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP Silicon Digital TRANSISTOR
BCR555E6327HTSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP Silicon Digital TRANSISTOR
BCR555E6433HTMA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP Silicon Digital TRANSISTOR
BCR562E6327HTSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP Silicon Digital TRANSISTOR
DCX100NS-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150mW R1+/-R2 R3=R4 Dual Complementary
DCX114EH-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K
DCX114EK-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 300MW 10K
DCX114EU-13R-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS Comp Dual Trans 200mW 10kOhm
DCX114EU-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения COMP NPN/PNP 200mW
DCX114TH-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K
DCX114TK-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 300MW 4.7KW
DCX114TU-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 4.7K
DCX114YH-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 10K 47K
DCX114YK-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 300MW 10K 47K
DCX114YU-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения COMP NPN/PNP 200mW
DCX115EK-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL COMPLEMENTARY
DCX115EU-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS Comp Pre-Biased Dual Trans 100kOhm
DCX122LH-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 0.22K
DCX122LU-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 0.22K
DCX122TH-7 Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 0.22K
DCX122TU-7-F Diodes Incorporated
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 0.22K