| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
PUMH24,115 | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRNS DOUBL RET TAPE7 | ||
|
PUMH2F | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 47 kO, R2 = 47 kO | ||
|
PUMH30,115 | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRNS DOUBL RET TAPE7 | ||
|
PUMH4,115 | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRNS DOUBL RET TAPE7 | ||
|
PUMH7,115 | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRNS DOUBL RET TAPE7 | ||
|
PUMH7F | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PUMH7/SC-88/REEL 13" Q1/T1 *ST | ||
|
PUMH9,115 | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRNS DOUBL RET TAPE7 | ||
|
PUMH9,125 | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TransDigital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin | ||
|
PUMH9,135 | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS DOUBLE RET | ||
|
PUMH9,165 | Nexperia | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS RET DOUBLE | ||
|
QSH29TR | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения DUAL DIGI TRNSISTR | ||
)
|
RN1101(T5L,F,T) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO | ||
|
RN1101,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built- in Transistor | ||
)
|
RN1101MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | ||
|
RN1101MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | ||
|
RN1102,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
)
|
RN1102MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 10K x 10Kohms | ||
|
RN1102MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built-in transistor | ||
|
RN1103,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения Bias Resistor Built- in Transistor | ||
)
|
RN1103MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms | ||
|
RN1104,LF(CT | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG | ||
)
|
RN1104MFV(TL3,T) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC | ||
)
|
RN1104MFV(TPL3) | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms | ||
|
RN1104MFV,L3F | Toshiba | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150mW TRANSISTOR |
