Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [21]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
F4-75R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A
F4-75R12KS4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V
F4150R17ME4B11BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO
F450R07W1H3B11ABOMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
F475R07W1H3B11ABOMA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
F5-75R06KE3_B5 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FAM65CR51DZ2 ON Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CDA PFC SF3 F RFET
FAM65HR51DS2 ON Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CAA H-BRIDGE SF3
FAM65V05DF1 ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HEV Automotive Power Modules
FB10R06KL4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A
FB10R06KL4G Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A
FB10R06KL4G_B1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A
FB15R06KL4_B1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 19A
FB20R06KL4_B1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A
FB20R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FB20R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FB30R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FD1000R17IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A
FD1000R17IE4D_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FD1000R33HE3-K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000A
FD1000R33HL3-K Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FD1200R17HP4-K_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1700V
FD1200R17KE3-K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.6KA
FD1400R12IP4D Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1400A