| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
FS450R12KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A IGBT4 | ||
|
FS450R12OE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200V | ||
|
FS450R12OE4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS450R17KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A 3-PHASE | ||
|
FS450R17KE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A | ||
|
FS450R17OE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700V | ||
|
FS450R17OE4P | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS450R17OP4PBOSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS500R17OE4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS500R17OE4DP | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS50R06KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A | ||
|
FS50R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A | ||
|
FS50R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600V | ||
|
FS50R06YE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A | ||
|
FS50R06YL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 55A | ||
|
FS50R07W1E3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS50R07W1E3_B11A | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY | ||
|
FS50R12KE3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE | ||
|
FS50R12KT3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A | ||
|
FS50R12KT4P_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FS50R12KT4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A | ||
|
FS50R12KT4_B15 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A | ||
|
FS50R12W2T4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A | ||
|
FS50R12W2T4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A |
