Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [41]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FZ1600R17HP4_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1600A
FZ1600R17HP4_B21 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FZ1600R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 2.3KA
FZ1800R12HE4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1800A
FZ1800R12HP4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1800A
FZ1800R17HE4_B9 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1800A
FZ1800R17HP4_B29 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1800A
FZ1800R17HP4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1800A
FZ2400R12HE4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 2400A
FZ2400R12HP4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 2400A
FZ2400R12HP4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 2400A
FZ2400R17HE4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400A
FZ2400R17HP4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400A
FZ2400R17HP4_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400A
FZ2400R17HP4_B28 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FZ2400R17HP4_B29 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400A
FZ2400R17HP4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 2400A
FZ250R65KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 250A 6500V
FZ300R12KE3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE
FZ3600R12HP4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MOD SOFT SWITCH 3600A 1200V 19KW
FZ3600R17HE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600A
FZ3600R17HP4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600A
FZ3600R17HP4_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 3600A
FZ400R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE