Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [5]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
APT50GP60JDQ2 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 50A, SOT-227
APT50GR120B2 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-247 T-MAX
APT50GR120L Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 50A, TO-264
APT50GT120JU2 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0052
APT50GT120JU3 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0053
APT60GA60JD60 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, SOT-227
APT60GF120JRDQ3 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 60A, SOT-227
APT65GP60JDQ2 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 65A, SOT-227
APT75GP120J Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 75A, SOT-227
APT75GP120JDQ3 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227
APT75GT120JU2 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) CC0068
APT75GT120JU3 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC0069
APT80GP60B2G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 80A, TO-247 T-MAX, RoHS
APT80GP60J Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, 80A, SOT-227
APT80GP60JDQ3 Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, 80A, SOT-227
APT85GR120B2 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-247 T-MAX
APT85GR120J Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, SOT-227
APT85GR120JD60 Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 85A, SOT-227
APT85GR120L Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-264
APTCV40H60CT1G Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC8004
APTCV50H60T3G Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC3133
APTGFQ25H120T2G Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Power Module - IGBT
APTGL120TA120TPG Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6529
APTGL120TDU120TPG Microchip / Microsemi Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC6532