Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [51]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
MKI75-06A7 IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V
MKI75-06A7T IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V
MKI80-06T6K IXYS
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 80 Amps 600V
MMIX1G120N120A3V1 IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device
MMIX1Y100N120C3H1 IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SMPD IGBTs Power Device
MMIX4G20N250 IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD
MWI25-12A7T IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200V
MWI30-06A7T IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V
MWI50-12A7T IXYS
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V
MWI75-06A7T IXYS Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 600V
NXH160T120L2Q2F2SG ON Semiconductor Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT
NXH80B120H2Q0SG ON Semiconductor
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
NXH80T120L2Q0S1G ON Semiconductor
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
STGE200NB60S STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 150Amp
STGIB10CH60S-E STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB10CH60S-L STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB10CH60TS-E STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB10CH60TS-L STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 10A,600V shrt-crct
STGIB15CH60S-E STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB15CH60S-L STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB15CH60TS-E STMicroelectronics
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct
STGIB15CH60TS-L STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM 2nd,3phs 15A,600V shrt-crct
STGIB20M60S-L STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
STGIB8CH60S-L STMicroelectronics Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)