Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [4]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
MG17450WB-BN4MM Littelfuse
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A IGBT
MG1750S-BN4MM Littelfuse
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 50A IGBT
MG1775S-BN4MM Littelfuse
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 75A IGBT