Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [21]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IHW20N65R5 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IHW25N120R2 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1200V 25A
IHW30N110R3 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IHW30N120R3 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IHW30N120R3FKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IHW30N120R5XKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1350V IGBT
IHW30N135R3 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IHW30N135R3FKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IHW30N135R5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1200V IGBT
IHW30N160R2 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
IHW30N160R2FKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
IHW30N160R5XKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
IHW30N65R5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon combines the industry leading performance of the TRENCHSTOP 5 family with the technology innovation of the reverse conducting RC-H IGBTs to create a new generation of best-in-class devices. Wi
IHW40N120R3 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
IHW40N120R3FKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IHW40N120R5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1350V IGBT
IHW40N135R3FKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
IHW40N135R5XKSA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) TRENCHSTOP RC-H5 1200V IGBT
IHW40N60R Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
IHW40N60RF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
IHW40N60RFKSA1 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
IHW40N65R5 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5