Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [30]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IRG4BC30FD-SPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V HYPERFAST 1-8 KHZ CO-PACK IGBT
IRG4BC30FDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz
IRG4BC30FPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz
IRG4BC30KD-SPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT
IRG4BC30KDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz
IRG4BC30KPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz
IRG4BC30SPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
IRG4BC30UDPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz
IRG4BC30UPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
IRG4BC30W-SPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
IRG4BC30WPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp 60-150kHz
IRG4BC40FPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz
IRG4BC40KPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V ULTRAFAST 8-25KHZ DSCRETE IGBT
IRG4BC40SPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
IRG4BC40UPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz
IRG4BC40W-LPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp 60-150kHz
IRG4BC40W-SPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IGBT
IRG4BC40WPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Warp 60-150kHz
IRG4BH20K-SPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
IRG4IBC10UDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz
IRG4IBC20FDPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Fast 1-8kHz
IRG4IBC20KDPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz
IRG4IBC30KDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz
IRG4IBC30UDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz