Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [32]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IRG4PF50WDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHz
IRG4PF50WPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 900V Warp 20-100kHz
IRG4PH20KDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz
IRG4PH20KPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz
IRG4PH30KDPBF Infineon / IR
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
IRG4PH30KPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
IRG4PH40KDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
IRG4PH40KPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
IRG4PH40UD2-EP Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHz
IRG4PH40UDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHz
IRG4PH40UPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 5-40kHz
IRG4PH50KDPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT
IRG4PH50KPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT
IRG4PH50SPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V DC-1kHz
IRG4PH50UDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40 KHZ COPACK IGBT
IRG4PH50UPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V ULTRAFAST 5-40KHZ DSCRETE IGBT
IRG4PSC71KDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-25kHz
IRG4PSC71UDPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V UltraFast 8-60kHz
IRG4PSH71KDPBF Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz
IRG4PSH71UDPBF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz
IRG6B330UDPBF Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT DISCRETES
IRG7CH30K10EF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPS
IRG7CH37K10EF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPS
IRG7CH44K10EF Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT CHIPS