Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [42]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
IXGH24N120C3H1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode
IXGH24N120IH IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200V
IXGH24N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1700V 3.3 V Rds
IXGH24N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24 Amps 1200 V 5 V Rds
IXGH25N100 IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 50A
IXGH25N100U1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1000V 50A
IXGH25N120 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 50 Amps 1200V 3 Rds
IXGH25N120A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 25 Amps 1200V
IXGH25N160 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 75 Amps 1600V 2.5 Rds
IXGH25N250 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE
IXGH28N120BD1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 1200V 3.50 Rds
IXGH28N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
IXGH28N60B3D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 28 Amps 600V
IXGH28N90B IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 51 Amps 900V 2.5 Rds
IXGH2N250 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT NPT-VERY HI VOLTAGE
IXGH30N120B3D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 1200V
IXGH30N60C3C1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) G-SERIES GENX3SIC IGBT 600V 30A
IXGH32N120A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 1200V
IXGH32N170 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
IXGH32N170A IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) VRY HI VOLT NPT IGBT 1700V, 72A
IXGH32N90B2D1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 32 Amps 900V 2.7 Rds
IXGH35N120B IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 70 Amps 1200V 3.3 Rds
IXGH36N60A3 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) GenX3 600V IGBTs
IXGH36N60A3D4 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 36 Amps 600V 2 Rds