Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [57]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
NGTB15N60S1EG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15A 600V IGBT
NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/20A RC IGBT FSII
NGTB20N120IHTG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/20A RC IGBT
NGTB20N135IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/20A IGBT FSII TO-24
NGTB20N60L2TF1G ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PF
NGTB25N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25 FAST IGBT FSII T
NGTB25N120FL3WG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
NGTB30N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A FAST IGBT FSII
NGTB30N135IHR1WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/30A IGBT FSII
NGTB30N135IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/30A IGBT FSII TO-24
NGTB30N60L2WG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A IGBT TO-247
NGTB30N65IHL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/30A FAST IGBT FSII T
NGTB35N60FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/35A FAST IGBT FSII T
NGTB35N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T
NGTB40N120FL2WAG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40 FAST IGBT FSII T
NGTB40N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FAST IGBT FSII
NGTB40N120FL3WG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
NGTB40N120IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A RC IGBT FSII
NGTB40N120L3WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC
NGTB40N120S3WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
NGTB40N135IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/40A IGBT FSII TO-24
NGTB40N60L2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/40A FAST IGBT FSII T
NGTB40N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FAST IGBT FSII T
NGTB40N65IHL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FAST IGBT FSII T