Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
RGCL60TK60DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGCL60TK60GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGCL60TS60DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGCL60TS60GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGCL80TK60DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGCL80TK60GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGCL80TS60DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGCL80TS60GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGPR10BM40FHTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT | |||
RGPR20NS43HRTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT | |||
RGPR30BM40HRTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT | |||
RGPR30NS40HRTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT | |||
RGPZ10BM40FHTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT | |||
RGS00TS65DHRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT FieldStop Trnch 50A; TO-247N; 650V | |||
RGS00TS65HRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGB | |||
RGS50TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH | |||
RGS50TSX2HRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FIELD STOP TRENCH | |||
RGS60TS65DHRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH | |||
RGS60TS65HRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A FIELD STOP TRENCH | |||
RGS80TS65HRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCH | |||
RGS80TSX2DHRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCH | |||
RGS80TSX2HRC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A FIELD STOP TRENCH | |||
RGT00TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A Trench IGBT Field Stop TO-247N | |||
RGT16BM65DTL | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |