Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [7]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
APT70GR65B2SCD30 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
APT75GN120B2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT75GN120JDQ3 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227
APT75GN120LG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-264, RoHS
APT75GN60BG Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247, RoHS
APT75GN60LDQ3G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHS
APT75GP120B2G Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHS
APT75GT120JRDQ3 Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI,1200V, 75A, SOT-227
APT80GA60B Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 600V, TO-247
APT80GA60LD40 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264
APT80GA90B Microchip / Microsemi Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 900V, TO-247
APT80GA90LD40 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264
APT95GR65B2 Microchip / Microsemi
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 650V, 95A, TO-247 T-MAX
AUIRG4BC30S-S Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
AUIRG4BC30SSTRL Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO DC-1 KHZ DISCRETE IGBT
AUIRG4BC30U-S Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
AUIRG4BC30USTRL Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
AUIRG4PC40S-E Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AUIRG4PH50S Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE AUTO IGBT
AUIRGB4062D1 Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive 600V Ultra TO-220
AUIRGDC0250 Infineon / IR
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V IGBT 81A Auto 1.37V at 33A Low VCE
AUIRGF65G40D0 Infineon / IR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES
AUIRGF66524D0 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V COOLiRIGBT
AUIRGF76524D0 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISCRETES