Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [72]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
STGW35HF60W STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Ultra Fast IGBT 35A 600V
STGW35HF60WD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBT
STGW35HF60WDI STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBT
STGW35NB60SD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 35A 600V
STGW39NC60VD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL MFT
STGW40H120DF2 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGW40H120F2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
STGW40H60DLFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
STGW40H65DFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A trench gate field-stop IGBT
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed in a TO247-4 package
STGW40H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
STGW40M120DF3 STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
STGW40NC60KD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40A - 600V Short circuit rugged IGBT
STGW40V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
STGW40V60DLF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
STGW40V60F STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
STGW60H60DLFB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT
STGW60H65DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
STGW60H65DFB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A trench gate field-stop IGBT
STGW60H65DFB-4 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
STGW60H65DRF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
STGW60H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
STGW60V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
STGW60V60F STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT