Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [75]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
STGWT20V60F STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
STGWT28IH125DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 25A trench gte field-stop IGBT
STGWT30H60DFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STGWT30H65FB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
STGWT30V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
STGWT30V60F STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A Hi Spd TrenchGate FieldStop
STGWT40H60DLFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
STGWT40H65DFB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
STGWT40HP65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
STGWT40V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
STGWT60H60DLFB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
STGWT60H65DFB STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
STGWT60H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
STGWT60V60DF STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
STGWT80H65DFB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd
STGWT80H65FB STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
STGWT80V60DF STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 600V 80A
STGWT80V60F STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
STGY40NC60VD STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 600V 50A Max247
STGY50NC60WD STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 65A N-Channel
STGYA120M65DF2 STMicroelectronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE
STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in a Max247 long leads package
T835-600H STMicroelectronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Snubberless Logic Lv Standard 8A Triac
TIG056BF-1E ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NCH IGBT 240A 150V