|
|
STGP4M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench Gate IGBT M Series 650V 4A |
|
|
|
STGP5H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
|
|
|
STGP6M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
|
|
STGP6NC60HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT |
|
|
|
STGP7H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed |
|
|
|
STGP7NC60HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT |
|
|
|
STGP8M120DF3 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package |
|
|
|
STGP8NC60KD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N Ch 500V 0.21 15A Pwr MOSFET |
|
|
|
STGPL6NC60D |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 6A N-Channel |
|
|
|
STGPL6NC60DI |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V - 6 A Hyper fast IGBT |
|
|
|
STGW10M65DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
|
|
STGW15H120DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed |
|
|
|
STGW15H120F2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed |
|
|
|
STGW15M120DF3 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss |
|
|
|
STGW19NC60HD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 19 A - 600 V Very fast IGBT |
|
|
|
STGW20H60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop |
|
|
|
STGW20H65FB |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed |
|
|
|
STGW20IH125DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1250V 20A trench gate field-stop IGBT |
|
|
|
STGW20NC60V |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp |
|
|
|
STGW20NC60VD |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 30 Amp |
|
|
|
STGW20V60DF |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT |
|
|
|
STGW20V60F |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop |
|
|
|
STGW25H120DF2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed |
|
|
|
STGW25H120F2 |
STMicroelectronics |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed |
|
