РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом [5]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип транзистора
Технология
Усиление
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
Id - непрерывный ток утечки
Выходная мощность
Максимальное напряжение сток-затвор
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
MAGX-000040-0050TP MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC
MAGX-011086 Aeroflex / Metelics (MACOM)
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом M/A-COM Technology Solutions
MMBF4416 ON Semiconductor / Fairchild РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor
MMBF5484 ON Semiconductor / Fairchild РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor
MMBF5485 ON Semiconductor / Fairchild
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor
MMBF5486 ON Semiconductor / Fairchild РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor
MMBFJ211 ON Semiconductor / Fairchild РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor
MMBFJ310 ON Semiconductor / Fairchild РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом NCh RF Transistor
MRFG35003N6AT1 NXP / Freescale РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5
NPT1010B MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz P1dB 49dBm Gain 19.7dB GaN
NPT1012B MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz P1dB 43dBm Gain 13dB GaN
NPT2021 MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
NPT2022 MACOM
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
NPT25100B MACOM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 2.1-2.7GHz 125W Gain 16.5dB GaN
NPTB00004A MACOM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
NPTB00025B MACOM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT
QPD0030 Qorvo
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-4GHz 45W GaN 48V
QPD0050TR7 Qorvo
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 75W 48V
QPD0060 Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.6GHz GaN 90W 48V
QPD1000 Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 50-1000MHz 15W 28V SSG 19dB GaN
QPD1003 Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 1.2-1.4GHz 500W 50V SSG 20dB GaN
QPD1004SR Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-1.2GHz 25W 50V GaN
QPD1008 Qorvo
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
QPD1008L Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN