РЧ МОП-транзисторы [3]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Полярность транзистора
Технология
Id - непрерывный ток утечки
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Усиление
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
A2T21H141W24SR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V
A2T21H360-23NR6 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 63 W Avg., 28 V
A2T21H360-24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V
A2T21H410-24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 28 W Avg, 28 V
A2T21H450W19SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 89 W Avg., 30 V
A2T21S160-12SR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 48 W Avg., 28 V
A2T21S161W12SR3 NXP Semiconductors
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 38 W Avg., 28 V
A2T21S260-12SR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 65 W Avg., 28 V
A2T21S260W12NR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2200 MHz, 56 W Avg., 28 V
A2T23H160-24SR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 28 W Avg., 28 V
A2T23H200W23SR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 51 W Avg., 28 V
A2T23H300-24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2300-2400 MHz, 69 W Avg., 28 V
A2T26H160-24SR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 2496 - 2690 MHz, 28 W AVG, 28 V
A2T26H165-24SR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 32 W Avg., 28 V
A2T26H300-24SR6 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR 2496-2690 MHz, 60 W AVG., 28 V
A2T27S007NT1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 400-2700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
A2T27S020GNR1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V
A2T27S020NR1 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor 400-2700 MHz, 2.5 W Avg., 28 V
A2V07H400-04NR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 107 W Avg., 48 V
A2V07H525-04NR6 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 595-851 MHz, 120 W Avg., 48 V
A2V09H300-04NR3 NXP / Freescale РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V
A2V09H400-04NR3 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 107 W Avg., 48 V
A2V09H525-04NR6 NXP / Freescale
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF LDMOS Wideband Integrated power amplifier, 575-960 MHz, 525 W, 48 V
A3G18H500-04SR3 NXP Semiconductors РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-1880 MHz, 107 W Avg., 48 V