РЧ-усилитель [2]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Вид монтажа
Упаковка / блок
Тип
Технология
Рабочая частота
P1dB - точка сжатия
Усиление
Рабочее напряжение питания
NF - коэффициент шумов
Тестовая частота
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка
Рабочий ток источника питания
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
A2G22S251-01SR3 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF Power GaN Transistor, 1805-2200 MHz, 48 W Avg., 48 V
A2G35S160-01SR3 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3800 MHz, 32 W AVG., 48 V
A2G35S200-01SR3 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3800 MHz, 40 W AVG., 48 V
A2I08H040GNR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 9 W AVG., 28 V
A2I08H040NR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 728-960 MHz, 9 W AVG., 28 V
A2I09VD015GNR1 NXP Semiconductors РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2I09VD015NR1 NXP Semiconductors РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 2 W Avg., 48 V
A2I09VD030GNR1 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 4 W AVG., 48 V
A2I09VD030NR1 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 4 W AVG., 48 V
A2I09VD050GNR1 NXP Semiconductors
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V
A2I09VD050NR1 NXP Semiconductors
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-960 MHz, 6.3 W Avg., 48 V
A2I20D020GNR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 1800-2200MHz, 2.5 W Avg., 28V
A2I20D020NR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 1800-2200MHz, 2.5 W Avg., 28V
A2I20D040GNR1 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1400-2200 MHz, 5.0 W Avg., 28 V
A2I20D040NR1 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1400-2200 MHz, 5.0 W Avg., 28 V
A2I20H060GNR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
A2I20H060NR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1805-2170 MHz, 12 W Avg., 28 V
A2I20H080GNR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V
A2I20H080NR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 1800-2200 MHz, 12.5 W Avg., 30 V
A2I22D050GNR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2000-2200 MHz, 5.3 W Avg., 28 V
A2I22D050NR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2000-2200 MHz, 5.3 W Avg., 28 V
A2I25D012GNR1 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
A2I25D012NR1 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2690 MHz, 1.3 W Avg., 28 V
A2I25D025GNR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель 2300-2690 MHz 2.5 W Avg., 28 V