РЧ-усилитель [3]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Вид монтажа
Упаковка / блок
Тип
Технология
Рабочая частота
P1dB - точка сжатия
Усиление
Рабочее напряжение питания
NF - коэффициент шумов
Тестовая частота
OIP3 - перехват составляющих третьего порядка
Рабочий ток источника питания
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Серия
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
A2I25D025NR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель 2300-2690 MHz 2.5 W Avg., 28 V
A2I25H060GNR1 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V
A2I25H060NR1 NXP / Freescale
РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 2300-2690 MHz, 10.5 W AVG., 28 V
A2I35H060GNR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
A2I35H060NR1 NXP / Freescale РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V
A3010 MACOM
РЧ-усилитель .01-2500MHz NF 4.5dB Gain 9.5dB
A31-1 MACOM
РЧ-усилитель 100-2000MHz NF 3.5dB Gain 11.5dB
A32 MACOM РЧ-усилитель 100-2000MHz NF 3.5dB Gain 10.0dB
A32-1 MACOM
РЧ-усилитель 100-2000MHz NF 2.5dB Gain 11.5dB
A33 MACOM
РЧ-усилитель 10-2000MHz NF 4.5dB Gain 9.5dB
A33-1 MACOM
РЧ-усилитель 2-2400MHz NF 4.0dB Gain 9.0dB
A34 MACOM РЧ-усилитель 100-2000MHz NF 5.5dB Gain 16.0dB
A35 MACOM РЧ-усилитель 10-2000MHz NF 5.0dB Gain 10.0dB
A35-1 MACOM
РЧ-усилитель 2-2400MHz NF 4.2dB Gain 9.0dB
A36 MACOM
РЧ-усилитель 10-2000MHz NF 5.5dB Gain 16.5dB
A36-1 MACOM РЧ-усилитель 100-2300MHz NF 6.0dB Gain 16.2dB
A36-2 MACOM
РЧ-усилитель 10-2600MHz NF 7.0dB Gain 15.0dB
A37 MACOM
РЧ-усилитель 10-2000MHz NF 6.8dB Gain 10.0dB
A38 MACOM
РЧ-усилитель 10-2000MHz NF 6.5dB Gain 9.5dB
A39 MACOM
РЧ-усилитель 10-2000MHz NF 8.5dB Gain 7.5dB
A3I35D012WGNR1 NXP Semiconductors РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V
A3I35D012WNR1 NXP Semiconductors РЧ-усилитель Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 3200-4000 MHz, 1.8 W Avg., 28 V
A3I35D025WGNR1 NXP Semiconductors РЧ-усилитель LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V
A3I35D025WNR1 NXP Semiconductors РЧ-усилитель LDMOS Wdbnd Pwr Amp 3200-4000 MH 3.4W28V