РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом [9]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Тип транзистора
Технология
Усиление
Полярность транзистора
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
Id - непрерывный ток утечки
Выходная мощность
Максимальное напряжение сток-затвор
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Pd - рассеивание мощности
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
TGF2978-SM Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB
TGF2979-SM Qorvo РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB
TGF3015-SM Qorvo
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
XF1001-SC-EV1 MACOM РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом MIMIX 1W Packaged HFET Eval Module