Биполярные транзисторы

Упаковка / блок

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение коллектор-база (VCBO)

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальный постоянный ток коллектора

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания

Серия

Фото	Партномер	Производитель	Datasheet	Описание	Заказ
	QSX1TR	ROHM Semiconductor		Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR NPN Vce 12V 6A
	QSX2TR	ROHM Semiconductor		Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR NPN Vce 30V 5A
	QSX4TR	ROHM Semiconductor		Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR NPN Vce 30V 2A
	QSX6TR	ROHM Semiconductor		Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR 30V 1.5A
	QSX7TR	ROHM Semiconductor		Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 12V 1.5A 6PIN
	QSX8TR	ROHM Semiconductor		Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN 30V 1A 6PIN
	QSZ1TR	ROHM Semiconductor		Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 12V 2A 5PIN
	QSZ2TR	ROHM Semiconductor		Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP BJT NPN PNP 30V 1.5A 5PIN
	QSZ4TR	ROHM Semiconductor		Биполярные транзисторы - BJT ISO TRANSISTORDIODE GEN PURP
	RN1104MFV,L3F(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-723 (VESM) package
	RN1108MFV,L3F	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-723 (VESM) package
	RN1116,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-416 (SSM) package
	RN1303,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-323 (USM) package
	RN1415,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
	RN1417,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
	RN1418,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
	RN1701,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1702,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1703,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1704,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1705,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1706,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1707,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1708,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A

Биполярные транзисторы - BJT