Биполярные транзисторы

Упаковка / блок

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

Напряжение коллектор-база (VCBO)

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

Максимальный постоянный ток коллектора

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания

Серия

Фото	Партномер	Производитель	Datasheet	Описание	Заказ
	RN1709,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1710,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1711,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1711JE(TE85L,F)	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR NPN x2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1901,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
	RN1902FE,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1903FE,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1904FE,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1906FE,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built- in Transistor, 2in1
	RN1908,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1909,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN1911,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
	RN2103,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
	RN2104,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
	RN2105,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
	RN2106,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
	RN2108,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
	RN2109,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
	RN2113,LF(CT	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=InfinitykOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
	RN2303,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-323 (USM) package
	RN2406,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
	RN2411,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=InfinitykOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
	RN2416,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
	RN2418,LF	Toshiba		Биполярные транзисторы - BJT PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package

Биполярные транзисторы - BJT