Биполярные транзисторы - BJT [285]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Вид монтажа
Упаковка / блок
Полярность транзистора
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение коллектор-база (VCBO)
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальный постоянный ток коллектора
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RN2425(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=0.47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.8A, inSOT-346 (S-Mini) package
RN2426(TE85L,F) Toshiba Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP BRT, Q1BSR=1kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.8A, inSOT-346 (S-Mini) package
RN2701,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2702,LF Toshiba Биполярные транзисторы - BJT TRANSISTOR PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2703,LF Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2704,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2705,LF Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2706,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2707,LF Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2708,LF Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2709,LF Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2710,LF Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2714,LF Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=1kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=1kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2901,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2906FE,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2907,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2908,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2909,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN2910,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN4901FE,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN4903,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN4908,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN4909,LF(CT Toshiba Биполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
RN4911,LF(CT Toshiba
Биполярные транзисторы - BJT PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться