| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
| APTLGT400A608G | Microchip / Microsemi | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020 | |||
| BSM100GAL120DLCK | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPER | |||
| BSM100GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | |||
| BSM100GB120DLCK | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | |||
| BSM100GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | |||
| BSM100GB120DN2K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL | |||
| BSM100GB170DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUAL | |||
| BSM100GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DUAL | |||
| BSM100GD120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE | |||
| BSM100GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE | |||
| BSM100GD60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A 3-PHASE | |||
| BSM100GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A PIM | |||
| BSM10GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE | |||
| BSM10GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A | |||
| BSM10GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A PIM | |||
| BSM10GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A PIM | |||
| BSM150GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | |||
| BSM150GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | |||
| BSM150GB170DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUAL | |||
| BSM150GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 150A DUAL | |||
| BSM15GD120DLCE3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | |||
| BSM15GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE | |||
| BSM15GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A | |||
| BSM15GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM |
