Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [15]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
APTLGT400A608G Microchip / Microsemi
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) DOR CC5020
BSM100GAL120DLCK Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPER
BSM100GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
BSM100GB120DLCK Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
BSM100GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
BSM100GB120DN2K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A DUAL
BSM100GB170DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 100A DUAL
BSM100GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A DUAL
BSM100GD120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A 3-PHASE
BSM100GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A FL BRIDGE
BSM100GD60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A 3-PHASE
BSM100GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 100A PIM
BSM10GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE
BSM10GD120DN2E3224 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 15A
BSM10GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A PIM
BSM10GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A PIM
BSM150GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
BSM150GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL
BSM150GB170DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 150A DUAL
BSM150GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 150A DUAL
BSM15GD120DLCE3224 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A
BSM15GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A 3-PHASE
BSM15GD120DN2E3224 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 25A
BSM15GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 15A PIM