| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
BSM15GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A PIM | ||
|
BSM200GA120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE | ||
|
BSM200GA120DLCS | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE | ||
|
BSM200GA120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A SINGLE | ||
|
BSM200GA170DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 400A | ||
|
BSM200GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | ||
|
BSM200GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A DUAL | ||
|
BSM200GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A DUAL | ||
|
BSM200GD60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 200A 3-PHASE | ||
|
BSM20GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A PIM | ||
|
BSM25GD120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A FL BRIDGE | ||
|
BSM25GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 35A | ||
|
BSM25GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 25A PIM | ||
|
BSM300GA120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | ||
|
BSM300GA120DLCS | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | ||
|
BSM300GA120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE | ||
|
BSM300GB120DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL | ||
|
BSM300GB60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 300A DUAL | ||
|
BSM30GD60DLC | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 3-PHASE | ||
|
BSM30GP60 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A PIM | ||
|
BSM35GB120DN2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A DUAL | ||
|
BSM35GD120DLCE3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 70A | ||
|
BSM35GD120DN2E3224 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A | ||
|
BSM35GP120 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIM |
