Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [17]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
BSM35GP120G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A PIM
BSM400GA120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE
BSM400GA120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 400A SINGLE
BSM50GAL120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A CHOPPER
BSM50GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL
BSM50GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A DUAL
BSM50GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A DUAL
BSM50GD120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE
BSM50GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A FL BRIDGE
BSM50GD120DN2E3226 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A
BSM50GD60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A 3-PHASE
BSM50GP120 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
BSM50GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIM
BSM50GP60G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 50A PIM
BSM50GX120DN2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
BSM75GAL120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A CHOPPER
BSM75GB120DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUAL
BSM75GB120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A DUAL
BSM75GB60DLC Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A DUAL
BSM75GD120DLC Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 125A
BSM75GD120DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
BSM75GP60 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V 75A PIM
BYM300B170DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 300A
BYM600A170DN2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 600A F/DIODE