| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
|
F4-50R12KS4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V | ||
|
F4-75R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 100A | ||
|
F4-75R12KS4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A | ||
|
F4-75R12KS4_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V | ||
|
F4150R17ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER ECONO | ||
|
F450R07W1H3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
F475R07W1H3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
F5-75R06KE3_B5 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FAM65CR51DZ2 | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CDA PFC SF3 F RFET | ||
|
FAM65HR51DS2 | ON Semiconductor | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) APM16 CAA H-BRIDGE SF3 | ||
|
FAM65V05DF1 | ON Semiconductor / Fairchild | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HEV Automotive Power Modules | ||
|
FB10R06KL4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A | ||
|
FB10R06KL4G | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A | ||
|
FB10R06KL4G_B1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 15A | ||
|
FB15R06KL4_B1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 19A | ||
|
FB20R06KL4_B1 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 25A | ||
|
FB20R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ||
|
FB20R06W1E3_B11 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FB30R06W1E3 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE | ||
|
FD1000R17IE4 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1000A | ||
|
FD1000R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FD1000R33HE3-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000A | ||
|
FD1000R33HL3-K | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
|
FD1200R17HP4-K_B2 | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 1700V |
