Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [22]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FD1200R17KE3-K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 1.6KA
FD1400R12IP4D Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1400A
FD150R12RT4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 150A
FD1600/1200R17HP4_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1600A 1700V
FD200R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 200A CHOPPER
FD200R12PT4_B6 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FD250R65KE3-K Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 250A 6500V
FD300R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FD300R07PE4_B6 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 300A 650V
FD300R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A CHOPPER
FD300R12KS4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 370A
FD300R12KS4_B5 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 300A
FD300R17KE4PHOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FD400R07PE4R_B6 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FD400R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A
FD400R12KE3_B5 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module
FD400R33KF2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A CHOPPER
FD400R33KF2C-K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 660A
FD450R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FD500R65KE3-K Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FD600R06ME3_S2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 600V
FD600R17KE3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A
FD650R17IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 650A
FD800R17HP4-K_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 800A 1700V