Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [27]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FF400R33KF2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 400A DUAL
FF450R06ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 550A
FF450R07ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 650V
FF450R12IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 450A
FF450R12KE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 520A
FF450R12KE4PHOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
FF450R12KE4_E Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF450R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A
FF450R12ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A
FF450R12ME4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 450A
FF450R12ME4EB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF450R12ME4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF450R12ME4P_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF450R12ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200V
FF450R17IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A
FF450R17ME3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 605A
FF450R17ME4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A
FF450R17ME4P_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF450R17ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700V
FF450R33T3E3BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) XHP 3 3300V dual IGBT module with IGBT3 and Emitter Controlled 3 Diode - Designed for flexibility and reliability!
FF500R17KE4BOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) MEDIUM POWER 62MM
FF50R12RT4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
FF600R06ME3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 600A
FF600R07ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 650V