Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [28]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FF600R12IE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FF600R12IE4V Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12IP4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 600A
FF600R12IP4V Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12KE4BOSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
FF600R12KE4EBOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
FF600R12ME4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A
FF600R12ME4A_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12ME4CB11BOSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12ME4CBOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12ME4CP Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12ME4CP_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12ME4EB11BOSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12ME4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12ME4PB72BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12ME4P_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R12ME4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 1200V
FF600R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 900A
FF600R17KE3_B2 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 950A
FF600R17ME4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC
FF600R17ME4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R17ME4P_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FF600R17ME4_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode, NTC and PressFIT Contact Technology
FF650R17IE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A