Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [32]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FP25R12W2T4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 39A
FP25R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
FP25R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
FP25R12W2T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A
FP30R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V PIM
FP30R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A
FP30R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600V
FP30R06YE3_B4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 30A
FP35R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FP35R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FP35R12KT4_B15 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A
FP35R12U1T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V
FP35R12W2T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FP35R12W2T4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE
FP35R12W2T4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) BOND MODULE
FP35R12W2T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A
FP40R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIM
FP40R12KE3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A PIM
FP40R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A
FP40R12KT3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A
FP50R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A
FP50R06W2E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A
FP50R06W2E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A
FP50R07N2E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V