Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [33]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FP50R07N2E4_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 650V
FP50R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
FP50R12KS4C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
FP50R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A
FP50R12KT4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A
FP50R12KT4G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V
FP50R12KT4G_B15 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 1200V
FP50R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO
FP50R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 50A
FP75R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FP75R07N2E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V
FP75R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A PIM
FP75R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A
FP75R12KT4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1.85V IGBT 4 PIM
FP75R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO
FP75R12KT4PBPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER ECONO
FP75R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A
FP75R12KT4_B15 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
FP75R17N3E4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FPF2C8P2NL07A ON Semiconductor / Fairchild
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PIM F2 NPC 650V 50A
FPF2G120BF07AS ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module
FPF2G120BF07ASP ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Power Module
FS100R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH
FS100R07N2E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 100A 650V