Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [37]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FS300R12OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS300R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 300A 3-PHASE
FS300R17KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 300A
FS300R17OE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS300R17OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS30R06VE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
FS30R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 45A
FS30R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 30A 600V
FS30R06XE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A
FS30R06XL4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE
FS35R12KE3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A 3-PHASE
FS35R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A
FS35R12W1T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 65A
FS35R12W1T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 35A 1200V
FS3L30R07W2H3FB11BPSA2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
FS3L40R07W2H5FB11BOMA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY
FS3L50R07W2H3_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS400R07A3E3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 1
FS400R07A3E3H6BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 1
FS400R12A2T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2
FS450R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A 3-PHASE
FS450R12KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 450A IGBT4
FS450R12OE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1200V
FS450R12OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)