Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [38]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FS450R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 450A 3-PHASE
FS450R17KE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 450A
FS450R17OE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 450A 1700V
FS450R17OE4P Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS450R17OP4PBOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS500R17OE4D Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS500R17OE4DP Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS50R06KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A
FS50R06W1E3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 70A
FS50R06W1E3_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 50A 600V
FS50R06YE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 60A
FS50R06YL4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 55A
FS50R07W1E3B11ABOMA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS50R07W1E3_B11A Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY
FS50R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A 3-PHASE
FS50R12KT3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 75A
FS50R12KT4P_B11 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS50R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
FS50R12KT4_B15 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
FS50R12W2T4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
FS50R12W2T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 50A
FS50R17KE3_B17 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULE HALF BRG 50A 1700V
FS600R07A2E3B31BOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS600R07A2E3B32BOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)