Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [40]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FSAM75SM60A ON Semiconductor / Fairchild Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 600V -75A SMART POWER MODULE
FT150R12KE3G_B4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 200A
FZ1000R33HE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1000A
FZ1000R33HL3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1KA
FZ1200R12HE4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FZ1200R12HP4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1200A
FZ1200R17HE4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A
FZ1200R17HP4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A
FZ1200R17HP4_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1200A
FZ1200R33HE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 1200A 3300V
FZ1200R33KF2C Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 3300V 1200A SINGLE
FZ1200R45KL3_B5 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FZ1500R33HE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 3300V 1500A
FZ1500R33HL3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 3.3KV 1.5KA
FZ1600R12HP4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1600A
FZ1600R17HP4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1600A
FZ1600R17HP4_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1600A
FZ1600R17HP4_B21 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FZ1600R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 2.3KA
FZ1800R12HE4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1800A
FZ1800R12HP4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 1800A
FZ1800R17HE4_B9 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1800A
FZ1800R17HP4_B29 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1800A
FZ1800R17HP4_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1700V 1800A