Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) [39]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Продукт
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Ток утечки затвор-эмиттер
Pd - рассеивание мощности
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FS600R07A2E3_B31 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2
FS6R06VE3_B2 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 11A
FS75R06KE3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULES 600V
FS75R07N2E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V
FS75R07N2E4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 650V
FS75R07U1E4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS75R07W2E3B11ABOMA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS75R07W2E3_B11A Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) EASY
FS75R12KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
FS75R12KE3G Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
FS75R12KE3_B9 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 75A 1200V
FS75R12KS4 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 75A 3-PHASE
FS75R12KT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 105A
FS75R12KT3G Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A
FS75R12KT4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
FS75R12KT4_B15 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
FS75R12W2T4 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
FS75R12W2T4_B11 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
FS75R17KE3 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 130A
FS800R07A2E3B32BOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
FS800R07A2E3_B31 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK 2
FS820R08A6P2BPSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE
FS820R08A6P2LBBPSA1 Infineon Technologies
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK DRIVE
FS900R08A2P2B31BOSA1 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) HYBRID PACK2