Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [14]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FGH75T65SHDTL4 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 TIGBT Excellent switching performan
FGH75T65SHDTLN4 ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3 T TO247 75A 65
FGH75T65SQD-F155 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
FGH75T65SQDNL4 ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75 FAST IGBT
FGH75T65SQDT-F155 ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
FGH75T65SQDTL4 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS4 Trench IGBT
FGH75T65UPD ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 150A 187W
FGH75T65UPD-F085 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A FS TRENCH IGBT
FGH75T65UPD-F155 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V,75A Field Stop Trench IGBT
FGH80N60FD2TU ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 80A Field Stop
FGH80N60FDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Field Stop
FGHL40S65UQ ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT, 650 V, 40 A
FGHL50T65SQ ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS4TIGBT 50A 650V
FGI3040G2-F085 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 - 400V IGNITION IGBT
FGI3236-F085 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) EcoSPARK 320mJ 360V N-Chan Ignition
FGL12040WD ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 40A Field Stop Trench IGBT
FGL35N120FTDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A Trench IGBT
FGL40N120ANDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V NPT IGBT
FGL40N120ANTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V NPT IGBT
FGL60N100BNTD ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH POWER
FGL60N100BNTDTU ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH POWER
FGP10N60UNDF ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 10A NPT IGBT
FGP15N60UNDF ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 15A NPT IGBT
FGP20N60UFDTU ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 20A Field Stop
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться