Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [15]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
FGP3040G2-F085 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
FGP3440G2-F085 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ECOSPARK 2 IGNITION IGBT
FGP5N60LS ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/5A Field Stop Low Vcesat
FGPF10N60UNDF ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT
FGPF15N60UNDF ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT
FGPF4565 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS1TIGBT TO220F 650V
FGY100T65SCDT ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS3TIGBT TO247 100A 650V
FGY120T65SPD-F085 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS Trench IGBT Gen3
FGY160T65SPD-F085 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V Field Stop Gen3 Trench IGBT
FGY40T120SMD ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FS2TIGBT TO247 40A 1200V
FGY60T120SQDN ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 60A UFS
FGY75N60SMD ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V, 75A Field Stop IGBT
FGY75T120SQDN ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A UFS
FGY75T95LQDT ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 950V 75A FS4 IGBT
FGY75T95SQDT ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 950V 75A FS4 IGBT
FID60-06D IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60 Amps 600V
FII24N17AH1 IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds
FII24N17AH1S IXYS Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 11.5 Amps 1700V 5.2 Rds
FII30-06D IXYS
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 Amps 600V
FSAM50SM60A ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V -50A SMART POWER MODULE
GN2470K4-G Microchip Technology Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 700V 3.5A IGBT
GT30J121(Q) Toshiba Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/30A DIS
GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT for Soft Switching Apps
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться