| Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
| IGB03N120H2 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A | |||
| IGB10N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech | |||
| IGB10N60TATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech | |||
| IGB15N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A | |||
| IGB15N60TATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A | |||
| IGB15N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | |||
| IGB20N60H3 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT | |||
| IGB20N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | |||
| IGB30N60H3 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT | |||
| IGB30N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A | |||
| IGB50N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | |||
| IGB50N60TATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A | |||
| IGB50N65H5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | |||
| IGB50N65S5ATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS | |||
| IGD01N120H2 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A | |||
| IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combinati | |||
| IGP06N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6A | |||
| IGP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6A | |||
| IGP10N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A | |||
| IGP10N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 10A | |||
| IGP15N60T | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A | |||
| IGP20N60H3 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V | |||
| IGP20N65F5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | |||
| IGP20N65H5 | Infineon Technologies | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 |
