Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [16]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
HGT1S20N60C3S9A ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 45a 600V N-Ch IGBT UFS Series
HGTD1N120BNS9A ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 5.3a 1200v N-Ch IGBT NPT Series
HGTD7N60C3S9A ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series
HGTG10N120BND ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch
HGTG11N120CND ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde
HGTG12N60C3D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel
HGTG18N120BND ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
HGTG20N60A4 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
HGTG20N60A4D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V
HGTG20N60B3 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
HGTG20N60B3D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel
HGTG30N60A4 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
HGTG30N60A4D ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
HGTG30N60B3 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
HGTG30N60B3D ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT UFS N-Channel
HGTG30N60C3D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 63a 600V NCh IGBT Hyperfast anti-para
HGTG40N60A4 ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
HGTG40N60B3 ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
HGTG5N120BND ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
HGTP12N60C3D ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D
IDW40E65D2 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Rapid Switching
IEWS20R5135IPBXKMA1 Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
IGA03N120H2 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED TECH 1200V 3A
IGB01N120H2 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться