Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [56]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
NGD18N40ACLBT4G Littelfuse Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 18 AMP, 400V CLAMP
NGD18N45CLBT4G Littelfuse Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NGD18N45CLBT4G, IGNITION
NGD8201ANT4G Littelfuse Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NGD8201ANT4G GEN4 IGBT
NGD8201BNT4G Littelfuse Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL IGNITION IGBT 2
NGD8201BNT4G ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CHANNEL IGNITION IGBT 2
NGD8205ANT4G Littelfuse Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 20 A, 350 V
NGD8209NT4G Littelfuse
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGNITION IGBT 12A 410V
NGTB03N60R2DT4G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 3A 600V DPAK
NGTB05N60R2DT4G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 5A 600V DPAK
NGTB10N60FG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NCH IGBT 10A 600V TO220F3
NGTB10N60R2DT4G ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 10A 600V DPAK
NGTB15N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A VERY FAST IGBT
NGTB15N120IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A RC IGBT FSII TO
NGTB15N135IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/15A RC IGBT FSII TO
NGTB15N60R2FG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) RC2 IGBT 15A 600V
NGTB15N60S1EG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 15A 600V IGBT
NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/20A RC IGBT FSII
NGTB20N120IHTG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/20A RC IGBT
NGTB20N135IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/20A IGBT FSII TO-24
NGTB20N60L2TF1G ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A IGBT TO-3PF
NGTB25N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25 FAST IGBT FSII T
NGTB25N120FL3WG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/
NGTB30N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/30A FAST IGBT FSII
NGTB30N135IHR1WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/30A IGBT FSII