Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [57]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
NGTB30N135IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/30A IGBT FSII TO-24
NGTB30N60L2WG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A IGBT TO-247
NGTB30N65IHL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/30A FAST IGBT FSII T
NGTB35N60FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/35A FAST IGBT FSII T
NGTB35N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T
NGTB40N120FL2WAG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40 FAST IGBT FSII T
NGTB40N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A FAST IGBT FSII
NGTB40N120FL3WG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/
NGTB40N120IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/40A RC IGBT FSII
NGTB40N120L3WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 LOW VC
NGTB40N120S3WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 40A FS3 LOW VF
NGTB40N135IHRWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1350V/40A IGBT FSII TO-24
NGTB40N60L2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/40A FAST IGBT FSII T
NGTB40N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FAST IGBT FSII T
NGTB40N65IHL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/40A FAST IGBT FSII T
NGTB45N60SWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/45A IGBT FS1 TO-247
NGTB50N120FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/50A FAST IGBT FSII
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A LOW VCESAT FSII
NGTB50N60SWG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A IGBT FS1 TO-247
NGTB50N65FL2WAG ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/50 FAST IGBT FSII TO
NGTB50N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/50A FAST IGBT FSII T
NGTB60N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/60A FAST IGBT FSII
NGTB75N65FL2WG ON Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/75A FAST FSII TO-247
NGTD13R120F2SWK ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/25A CN34 FAST RECTI