Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [63]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RGW00TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGW00TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGW60TK65DGVC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGW60TK65GVC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGW60TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGW60TS65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGW80TK65DGVC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGW80TK65GVC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGW80TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGW80TS65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RJH1CF7RDPQ-80#T2 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60A01RDPD-A0#J2 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 5A
RJH60A83RDPN-E0#T2 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60A83RDPP-M0#T2 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60A85RDPP-M0#T2 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60D0DPK-00#T0 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60D1DPE-00#J3 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60D1DPP-E0#T2 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 10A
RJH60D1DPP-M0#T2 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60D2DPE-00#J3 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60D2DPP-M0#T2 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60D3DPE-00#J3 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60D5DPK-00#T0 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT
RJH60D6DPK-00#T0 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V IGBT, TO-3P