Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [62]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RGTH50TK65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH50TK65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH50TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench
RGTH50TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench
RGTH60TK65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH60TK65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH60TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench
RGTH60TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench
RGTH80TK65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH80TK65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
RGTH80TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench
RGTH80TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N
RGTV00TK65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGTV00TK65GVC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGTV00TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGTV00TS65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGTV60TK65DGVC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGTV60TK65GVC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGTV60TS65DGC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGTV60TS65GC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGTVX6TS65DGC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT WITH LOW COLLECTOR - EMIT
RGTVX6TS65GC11 ROHM Semiconductor
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT
RGW00TK65DGVC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
RGW00TK65GVC11 ROHM Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT