Фото | Партномер | Производитель | Datasheet | Описание | Заказ |
RGTH50TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGTH50TK65GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGTH50TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench | |||
RGTH50TS65GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 25A IGBT Stop Trench | |||
RGTH60TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGTH60TK65GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGTH60TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench | |||
RGTH60TS65GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A IGBT Stop Trench | |||
RGTH80TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGTH80TK65GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP | |||
RGTH80TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A IGBT Stop Trench | |||
RGTH80TS65GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A Trench IGBT Field Stop TO-247N | |||
RGTV00TK65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | |||
RGTV00TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | |||
RGTV00TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | |||
RGTV00TS65GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | |||
RGTV60TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | |||
RGTV60TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | |||
RGTV60TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | |||
RGTV60TS65GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | |||
RGTVX6TS65DGC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT WITH LOW COLLECTOR - EMIT | |||
RGTVX6TS65GC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 80A TO-247N Field Stp Trnch IGBT | |||
RGW00TK65DGVC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT | |||
RGW00TK65GVC11 | ROHM Semiconductor | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT |