Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) [65]
Поставка электронных компонентов
Производитель
Технология
Упаковка / блок
Вид монтажа
Конфигурация
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Фото Партномер Производитель Datasheet Описание Заказ
RJP4010AGE-00#P5 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Strobe IGBT
RJP6085DPN-00#T2 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead Free
RJP60D0DPE-00#J3 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead Free
RJP60D0DPK-00#T0 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead Free
RJP60D0DPP-M0#T2 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead Free
RJP60F0DPE-00#J3 Renesas Electronics Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead Free
RJP60F4DPM-00#T1 Renesas Electronics
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Power Module - Lead Free
SGB02N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
SGB07N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
SGB15N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A
SGD02N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
SGD02N60 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 600V 2A
SGF23N60UFTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/12A
SGF5N150UFTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1500V / 5A
SGF80N60UFTU ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Discrete Hi-P IGBT
SGH20N60RUFDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis Short Circuit Rated IGBT
SGH30N60RUFDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis Short Circuit Rated IGBT
SGH40N60UFTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT
SGL160N60UFDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT
SGL50N60RUFDTU ON Semiconductor / Fairchild
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 50A
SGP02N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
SGP07N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 8A
SGP10N60RUFDTU ON Semiconductor / Fairchild Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis Short Circuit Rated IGBT
SGP15N120 Infineon Technologies
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FAST IGBT NPT TECH 1200V 15A